歐洲芯片計劃：理想與現(xiàn)實的鴻溝
從智能手機到生成式AI，硅基芯片驅(qū)動著塑造現(xiàn)代生活的核心技術(shù)。半導體不僅被視為工業(yè)部件，更已成為關(guān)乎國家實力與安全、經(jīng)濟韌性及科技主權(quán)的戰(zhàn)略資產(chǎn)。
疫情、AI與地緣政治三重奏：芯片戰(zhàn)略重心深度重構(gòu)
疫情時期的芯片短缺揭示了高度集中式半導體供應鏈的脆弱本質(zhì)，汽車產(chǎn)業(yè)被迫停產(chǎn)，漣漪效應更波及諸多行業(yè)。與此同時，AI技術(shù)的爆發(fā)式崛起加劇了各國對先進硅基芯片的爭奪戰(zhàn)。美國頒布系列出口管制措施，意圖阻斷中國在先進制程領域的發(fā)展，此舉昭示了半導體在地緣政治博弈中的戰(zhàn)略份量。
在全球最先進芯片制造商臺積電所在地的中國臺灣地區(qū)，這種緊張態(tài)勢顯露無遺。鑒于臺海局勢變化，該地區(qū)在全球芯片生產(chǎn)——尤其是先進制程領域的核心地位，已被視為關(guān)鍵戰(zhàn)略脆弱點。
作為應對，多國政府相繼推出產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略，輔以史無前例的公共與私人資本投入。中美日韓及歐盟正競相構(gòu)建自主可控的韌性半導體生態(tài)體系。歐洲的解決方案即是《歐洲芯片法案》。
《歐洲芯片法案》——遠景藍圖、框架結(jié)構(gòu)與戰(zhàn)略布局
《歐洲芯片法案》于2022年2月公布，其核心目標是到2030年將歐洲在全球芯片生產(chǎn)的份額從10%提升至20%。該法案源于疫情期間的斷鏈困境，首次將半導體確立為歐洲實現(xiàn)數(shù)字自主權(quán)、保持經(jīng)濟競爭力及推動長遠創(chuàng)新發(fā)展的戰(zhàn)略基石。
《歐洲芯片法案》圍繞三大核心支柱構(gòu)建：
- 資助先進半導體與量子技術(shù)等領域的下一代研發(fā)；
- 支持首創(chuàng)新型制造、封裝及測試設施；
- 建立供應鏈監(jiān)測與應急響應協(xié)調(diào)機制。
本文聚焦第二支柱，因其對歐洲實現(xiàn)芯片自主的戰(zhàn)略目標具有最直接影響。
《歐洲芯片法案》框架下的旗艦級重大項目
截至目前，歐盟委員會已批準七個旗艦項目，其中五項獲得逾百億歐元公私聯(lián)合投資。按國別分布具體如下：
德國項目集群
• 歐洲半導體制造公司(ESMC)合資項目：臺積電(TSMC)、博世、英飛凌及恩智浦聯(lián)合投資超100億歐元建設晶圓廠，專注28/22納米及16/12納米硅基芯片制造，已獲50億歐元國家援助批準。該設施預計2029年實現(xiàn)滿產(chǎn)。
• 英飛凌德累斯頓擴建工程：追加投資44.6億歐元建設分立功率器件與模擬/混合信號集成電路產(chǎn)線，獲批9.2億歐元政府資助，目標2031年達產(chǎn)。
意大利戰(zhàn)略布局
- 意法半導體卡塔尼亞基地：計劃投資50億歐元建設碳化硅芯片制造廠，已獲批20億歐元國家援助。該產(chǎn)線預計2032年實現(xiàn)滿產(chǎn)，將成南歐最大寬禁帶半導體樞紐。
- 新加坡Silicon Box：在諾瓦拉投資32億歐元建設先進封裝中心，涵蓋面板級封裝與3D集成技術(shù)，獲得13億歐元政府資助，目標2033年達產(chǎn)。
法國重點項目動態(tài)
- 意法半導體與格羅方德聯(lián)合項目：原計劃在格勒諾布爾附近的克羅勒共同投資75億歐元建設300毫米FD-SOI晶圓廠，并獲得29億歐元國家援助。該項目曾預計2027年投產(chǎn)，但截至2025年9月最新消息顯示建設進程已暫停，后續(xù)發(fā)展存在不確定性。
其他十億級項目動態(tài)
- 安森美(onsemi)捷克擴建計劃：擬投資20億美元(約合19億歐元)擴建生產(chǎn)基地，目前正在等待國家援助審批。
- 恩智浦(NXP)研發(fā)融資：已獲得歐洲投資銀行10億歐元貸款，用于支持其在歐盟多國的研發(fā)活動。
這些項目彰顯歐洲重振半導體產(chǎn)業(yè)布局的雄心，然而計劃成效幾何尚待觀察——地緣政治波動、全球供應鏈重組與技術(shù)路線競爭等外部變量，都可能影響最終產(chǎn)業(yè)目標的實現(xiàn)。
英特爾馬格德堡項目擱置現(xiàn)狀
英特爾德國馬格德堡項目受挫，折射出歐洲芯片戰(zhàn)略落地的系統(tǒng)性梗阻。該項目于2022年宣布啟動，初始投資額170億歐元(遠期規(guī)劃可擴展至300億歐元)，包含99億歐元獲批國家援助資金。然而在建設成本激增、量產(chǎn)客戶缺失、管理層戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向以及行政審批遲滯與基建設施瓶頸疊加作用下，該項目最終于2025年中期正式終止。此次項目流產(chǎn)事件，折射出歐盟框架內(nèi)更深層的制度性梗阻——該系統(tǒng)性缺陷正持續(xù)侵蝕其他已獲批項目的生存根基。
內(nèi)生挑戰(zhàn)凸顯
歐盟《芯片法案》的政策目標轉(zhuǎn)化為實體項目阻力重重。即便獲得國家資金批準，項目仍常因法律審查、預算流程及割裂式許可制度遭遇國家級延誤。此類阻礙疊加地方協(xié)調(diào)不力，既拖長項目時間線又削弱投資者信心。更深層矛盾在于，歐盟委員會層面缺乏統(tǒng)一機制監(jiān)測進展或預警延期。
撬動私營資本配套投資雖至關(guān)重要卻舉步維艱。高額資金成本、漫長回報周期及宏觀經(jīng)濟不確定性持續(xù)阻礙資本入場。典型案例是意法半導體(ST)與格羅方德法國合資項目的停擺——據(jù)披露此舉源于量產(chǎn)客戶承諾不足、AI應用外需求疲軟，以及戰(zhàn)略重心向更具吸引力海外市場的遷移。貫穿半導體產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)人才短缺持續(xù)構(gòu)成硬約束，而封裝測試等配套環(huán)節(jié)基建缺失更在多地區(qū)疊加風險。
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當歐洲仍在應對內(nèi)生挑戰(zhàn)之際，全球競爭對手的半導體戰(zhàn)略加速推進使外部環(huán)境更趨嚴峻。
- 美國通過《芯片法案》527億美元(462億歐元)直接撥款及25%投資稅收抵免，憑借私營資本動員能力與地緣政治影響力，成功吸引臺積電亞利桑那晶圓廠、三星德州工廠等重大項目落戶——截至2025年初已發(fā)放325億美元補貼。
- 韓國"K-半導體戰(zhàn)略"規(guī)劃至2047年投入622萬億韓元(約4,400億歐元，主要來自私營資本)，并配套33萬億韓元(約210億歐元)政府支持計劃，構(gòu)建全球最完整供應鏈體系。
- 日本在半導體戰(zhàn)略框架下承諾至2030年提供10萬億日元(約583億歐元)政府補貼，重點支持Rapidus尖端制程聯(lián)盟與臺積電熊本晶圓廠等國家級項目。
- 中國自2014年起通過國家大基金投入超千億美元，其中2024年啟動的第三期基金規(guī)模達3,440億人民幣(約423億歐元)，旨在突破出口管制加速本土芯片自主化。
- 中國臺灣地區(qū)憑借臺積電技術(shù)壁壘，通過尖端產(chǎn)線本土化、高階人才儲備及完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)，持續(xù)掌控先進制程主導權(quán)。
相形之下，歐盟430億歐元《芯片法案》的投入規(guī)模可謂杯水車薪。盡管歐洲擁有imec(比利時微電子研究中心)、CEA-Leti(法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實驗室)及ASML(阿斯麥)等機構(gòu)奠定的研發(fā)與設備優(yōu)勢，其在半導體制造領域的存在感仍顯薄弱——尤其在先進制程環(huán)節(jié)。除英特爾愛爾蘭晶圓廠外，現(xiàn)有及規(guī)劃中的產(chǎn)能大多集中于成熟制程，致使歐洲在人工智能與高性能計算芯片的關(guān)鍵戰(zhàn)場幾近失語。
破局之道：歐洲必須跨越的三重鴻溝
彌補半導體產(chǎn)業(yè)差距僅靠政治雄心遠遠不夠。若無法實現(xiàn)快速項目審批、強化比利時當局與成員國協(xié)同機制、建立可信的執(zhí)行路徑，歐洲2030年占據(jù)全球芯片產(chǎn)能20%的目標基本無望達成。真正破局需要：極速審批通道、頂尖工程師紅利、去風險化私營投資、全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。
唯有彌合這些結(jié)構(gòu)性斷層，歐洲方能超越政治姿態(tài)層面，在全球半導體新版圖中建立可持續(xù)戰(zhàn)略支點。
本文翻譯自國際電子商情姊妹平臺EETimes Europe，原文標題：
