終于等到！長鑫LPDDR5X量產(chǎn)，國產(chǎn)旗艦機擺脫存儲依賴
日前，在昆明召開的IEEE第十六屆國際ASIC會議期間，長鑫存儲技術(shù)有限公司宣布成功實現(xiàn)LPDDR5X系列內(nèi)存芯片的研發(fā)及量產(chǎn)，標(biāo)志著我國高端移動存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展實現(xiàn)重大跨越，在技術(shù)層面由追趕國際先進水平正式邁入并跑階段。作為當(dāng)前旗艦級智能終端設(shè)備的核心存儲技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5X憑借其高帶寬、低功耗特性，為AI大模型本地部署、8K超高清視頻處理等前沿應(yīng)用提供關(guān)鍵支撐。此前，該領(lǐng)域市場長期由三星電子、SK海力士、美光科技三大國際存儲巨頭主導(dǎo)。?
長鑫存儲此次推出的LPDDR5X產(chǎn)品在容量規(guī)格方面，涵蓋12GB至32GB的多檔封裝方案；數(shù)據(jù)傳輸速率則覆蓋8533Mbps至10677Mbps全速率段，其中9600Mbps主流速率版本的量產(chǎn)，已能充分滿足現(xiàn)階段國產(chǎn)旗艦智能手機的核心性能需求。尤為值得關(guān)注的是其在封裝技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新突破，根據(jù)相關(guān)報道，公司正在研發(fā)的 0.58mm超薄LPDDR5X產(chǎn)品若實現(xiàn)量產(chǎn)，將成為全球最薄的同類產(chǎn)品，為智能手機輕薄化設(shè)計及增強現(xiàn)實(AR)設(shè)備研發(fā)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。?
在封裝技術(shù)的迭代升級路徑上，長鑫存儲針對傳統(tǒng) uMCP(嵌入式多芯片封裝)技術(shù)存在的存儲芯片與閃存芯片綁定導(dǎo)致的靈活性不足、測試周期冗長等問題，創(chuàng)新性地推出 uPoP(堆疊封裝)技術(shù)，通過實現(xiàn)閃存與內(nèi)存的獨立生產(chǎn)與組裝，顯著提升了下游廠商供應(yīng)鏈管理的靈活性。
?更具技術(shù)前瞻性的 HiTPoP(高性能堆疊封裝)技術(shù)則聚焦于性能瓶頸突破。該技術(shù)通過減薄工藝優(yōu)化散熱設(shè)計，有效緩解了系統(tǒng)級芯片(SoC)溫升對動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)高速輸入輸出性能的影響。同時，HiTPoP技術(shù)嚴(yán)格遵循 JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會)焊球布局標(biāo)準(zhǔn)，確保與現(xiàn)有主板設(shè)計的兼容性，從而大幅降低終端設(shè)備廠商的技術(shù)適配成本。這種 “兼容現(xiàn)有技術(shù)生態(tài)體系+突破性能上限”的技術(shù)發(fā)展策略，為國產(chǎn)存儲產(chǎn)品快速融入全球主流供應(yīng)鏈體系奠定了堅實基礎(chǔ)。
長鑫存儲此前已實現(xiàn)DDR4、LPDDR5等系列產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)，構(gòu)建起覆蓋消費電子、服務(wù)器等多領(lǐng)域的完整產(chǎn)品布局。根據(jù)Counterpoint Research的市場預(yù)測，長鑫存儲LPDDR5系列產(chǎn)品的市場份額有望在年內(nèi)提升至9%。
而此番?LPDDR5X的量產(chǎn)，更是填補了國產(chǎn)DRAM產(chǎn)品在旗艦智能手機應(yīng)用領(lǐng)域的空白，為眾多國產(chǎn)手機廠商降低對美韓存儲芯片的依賴提供了可能。更為深遠的影響體現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展層面，存儲芯片的自主可控發(fā)展與國產(chǎn)SoC廠商的異構(gòu)集成能力形成技術(shù)合力，推動構(gòu)建 “存儲-計算-封裝”垂直協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，加速高端移動設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化進程。?目前，公司已計劃于2026年啟動LPDDR6產(chǎn)品的量產(chǎn)工作，屆時與國際領(lǐng)先存儲廠商的技術(shù)差距有望縮小至1-2個季度。?
