RGT40NS65DGTL
￥19.51
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 161 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 40 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | LPDS |
新聞資訊
ROHM Semiconductor 單 IGBT 產(chǎn)品 RGT40NS65DGTL
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